Cum quaesita- post electionem in summo - fine industriae, vis altae- puritatis graphite minoris aestimari non potest. Cum suis excellentibus proprietatibus -lubricationis, magni roboris, boni conductivity electricae, resistentiae acidi et alcali, resistentiae corrosionis, resistentiae caliditatis, coëfficientis expansionis parvae, stabilitatis chemicae optimae, magni signationis effectus, et uniformis et densa structura, in industriis se constituit ut electrica, metallurgia, defensionis nationalis et aerospace, industria, et machinalis chemicae. Praeterea tenet nucleum situm in campis emergentibus ut tertiae - generationis semiconductores, industriae nuclei, et photovoltaici, ac "clavis pars" in technologico evolutione haberi potest.
Duae viae ingenuitatis: naturalis et artificialis "via purificationis";
Princeps- puritas graphita in altum naturale- puritatem graphitam et artificialem altam- puritatem graphitam collocari potest in rudibus materiis et methodis praeparandis. Princeps puritatis naturalis graphite in variis campis late adhibetur propter excellentem electricae conductivity et caloris proprietates translationis, sicut in materia refractoria, anti{5}} rubigine tunicarum, electrodes carbonum, generantium, lubricantium, et tutelae materiae in industria nuclei. Ex altera parte, artificialis altitudinis puritatis graphite applicatur in pre{8}}anodes coctus, graphite specialis, et industria nuclearis ob uniformem morphologiam et particulam magnitudinem distributionis.
Productio altae- puritatis graphitae e graphite naturali saepe involvit primum methodum flotationum utens graphiten graphiten purgans, deinde utens methodum acidum vel hydrogenii methodi consectetuer vel fluoridis hydrogenii methodum ad plicandum intendi purgandum, ac tandem obtinendo altas- puritatem graphiticam per altas- temperaturae modos vel altas- temperaturae modos. Attamen artificiosum excelsum - puritatis graphitum plerumque obtinetur ab initio rudis materias dispensando ac deinde eas collocando in altum maxime designatum- caliditatis reactionem fornacem graphitizationis et purificationis. Principalis processus est ad calidissimam fornacis temperiem uti ad graphitize coke petrolei et bitumen cok, et halogen gasorum agere cum immunditiis, ut eas vaporet et volatilizant, ita ut puritatem graphitae altae - obtineant.
Utrum sit productio altae- puritatis graphite naturalis vel altae- puritatis graphite artificialis, qualitati rudium materiarum stricte requisita sunt imposita. Ut exigentias assequendum graphite puritatis e graphite naturali, summus modus temperaturae solum potest occurrere necessitatibus gignendis. Attamen summus modus temperaturae - modum habet excelsum energiae consumptionem et excelsum ad apparatum requisita, sic etiam ad qualitatem materiae rudis quaedam necessaria habet. Plerumque, graphitis productis utitur puritate 99% per alias methodos purificationis acceptae, tandem exigentiam 99.99% attingens puritatis graphitae. Ad artificialem altitudinem- puritatis graphite, altae qualitatem petrolei coci et bituminis coci saepe ad productionem delectus. Cinis petrolei Coke contentum minus quam 0,5% esse debet, et fere solum humilis - sulpuris petrolei coke ad productionem adhibetur. Ergo sulphur contentum petrolei coci infra 0,5% est.
"Splendet in Altissimo- Finis Field": Applicationem Altissimi- Puritatis Graphite
Industriae utentes alta- puritate graphite ut materia rudis maxime in alta-technicorum agrorum intendunt ut materias semiconductores, photovoltaicos, graphenes, et graphites nuclei intendunt.
Tertia- generatio materiae semiconductoris
In semiconductore industria, graphite producta late in magno instrumento - temperaturae caloris adhibentur ut fornacibus cristalli incrementis, fornacibus carbonizationis et fornacibus graphitizationis. Alti- graphitici puritatis productorum usus in tertia- generatione semiconductoris carbidi pii includunt graphites testudines pro incremento crystalli, calentium graphitarum, et pulveris graphitici, etc. Puritas horum productorum partes definitivas agit in qualitate crystalli carbidi pii.
In praesenti, plerique inceptis utuntur methodo onerariis vaporibus physicis cum carbide silicone singula crystalla producenda. Hoc modo, pulvis carbide pii in fundo graphite uasculo positus est, et semen cristallum carbide pii in cacumine graphite uasculi ponitur. Deinde uas graphite calefactum usque dum carbida pii temperies sublimationis attingit. Postmodum carbida pii pulveris in substantias gaseosas sensim putrescit, ut vaporem Si2C, SiC2. Hae substantiae gradatim ad cacumen uas sublimabunt sub axialis temperatura gradiente et in superficie cristalli Seminis SiC in cacumine uasculi condensant, ita carbide siliconibus simplicibus crystallis obtinentibus.
Nuclei graphite
Gradus nuclei altus- puritatis graphite est late usus materiae in nuclearibus machinalis. Nuclei{3}} gradus materiae graphitae applicantur in nucleo
altum- temperamentum gas- refrigeratum reactors, ut fistulae, materias cibus, componentes sustentant.
Gradus nuclei graphiteum altum- esse debet graphite puritatis. Princeps puritatis graphitae maxime constat ex aggregatis, nexibus et agentibus impregnandis. Conduntur maxime ex acus{5} informibus coci petrolei et bituminis coci. Nuclei gradus altitudinis- puritatis graphitae stricte requisita ad regendi vestigium elementa habet. Sub lento statu, longam - terminum calcinationis temperaturae ad purgationem subit, immunditiam removens et contentum vestigii minuens elementa qualia sunt halogen et humilis- liquefactionem- metallis punctum. Carbonisatio formatio nuclei gradus altitudinis- puritatis graphitae modum urgentem isostaticum adhibet. Materia posita est in forma corporis elastica, arcte obsignata, et tunc aer removetur ad ambitum vacuum conservandum. Forma in cylindrico isostatico hydraulico posita est, et liquor isotropicus eandem pressionem formae premit, pressionem in materiam carbonii tradens, materiam crudam densam reddens.
Photovoltaic ager
In industria photovoltaica, praesertim cum electrode materiae cellularum solarium, graphita amplas applicationes habet. Praeclara eius conductivity et chemicae stabilitas eam optimam materiam efficit ut electrodes cellularum solaris efficiat. Praeterea, viverra- generis siliconis unius cristalli incrementi fornax est praecipuum instrumentum ad Pii singulas materias crystallinas praeparandas. Systema calefactionis unius fornacis cristallinae maxime includit altum- puritatem calentium graphitarum, vicus uasculas, phialas graphitas, et materias insulationes, etc. Applicando electricitatem currenti graphite calefaciente directam, fons scelerisque praebet ut materias rudis pii polycrystallini liquefaciat. Potestas calefacientis accommodari potest per intentionem vel currentem potentiae copiae. Calor ab calefaciente emissus ab insulatione systematis insulatus est, quae ambitum campi thermarum formare potest ad singulas crystallis siliconis incrementum idoneas.
Graphene
Graphene nunc est tenuissima nanomateria in mundo, altam stabilitatem chemicam et stabilitatem scelerisque, necnon proprietates mechanicas et electricas optimas. Habet latissime patet prospectum. Praecipua materia rudis ad graphene conficiendam alta est{2} graphite puritatis.
alii
In aerospace difficiliore, alta- graphite puritatis adhuc eximie bene facit. Adhibetur in umbilicis faucium lineis erucae machinae caudarum, neutron moderator reacrorum atomorum, caloris velitationis et caloris resistentia materiarum missilium, nec non nexus radiophonicus et conductivus materiae in satellitibus artificialibus omnia praesentia altae- puritatis graphitae.
